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【PC硬件】内存爆发标准大战!三星拟联手SK对抗英特尔....

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发表于 2016-6-29 10:54:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
原文地址:http://mini.eastday.com/a/160628182351584.html

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腾讯数码讯(天空之城)三星电子和SK海力士准备结盟,一起为下一代内存芯片制定标准,因为英特尔与美光已经联合在一起,对两家企业构成了威胁。


很久以来,全球内存芯片市场就被三星和SK海力士主导,因为它们交货准时、产能有保障、价格更便宜。另外,和逻辑芯片相比,制造内存芯片更加容易。


英特尔是全球最大的半导体生产商,它掌握了制程和CPU标准。现在英特尔准备在高端内存芯片市场提升地位。很显然,英特尔的新战略将会威胁三星和SK海力士。例如,英特尔与美光合作推广3D XPoint,它是一种变种芯片,新芯片将DARM和NAND闪存芯片的优势结合在一起,可以扩大芯片的数据存储容量,提高能耗效率。


三星表示,公司“密切关注”英特尔在3D XPoint方面的动作。一位三星内部人士称:“3D XPoint可能会成为真正的威胁,但到目前为止,我们考虑用不同的产品在内存芯片市场上与英特尔对抗。如果有必要,三星会与SK海力士结盟。但到目前为止还没有任何具体的讨论。”三星内部人士还说,开发更薄的DARM技术已经越来越困难,三星电子在下一代内存芯片的研发上扩大了开支,比如MPAM和PRAM。


SK海力士是世界第二大内存芯片制造商,它希望能与三星结盟,合作制定新的国际标准,与英特尔美光联盟对抗。SK海力士DARM技术主管Kim Jin-kook在产业论坛上表示,他们很担心3D XPoint所带来的影响,因为该技术拥有一些优势,可以吸引系统和企业存储应用方面的客户。


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发表于 2016-10-16 09:22:07 | 显示全部楼层
目前内存暴涨,不知道是不是囤货造成的
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